ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SBR2535
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - SBR2535 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - SBR2535
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 580 mV @ 25 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 35 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 (DO-203AA) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 mA @ 35 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 30A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SBR25 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology SBR2535
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SBR2535 | SBR2520 | SBR2545 | SBR2A30P1-7 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Diodes Incorporated |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 30A | 25A | 30A | 2A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 (DO-203AA) | DO-4 (DO-203AA) | DO-4 (DO-203AA) | PowerDI™ 123 |
| เทคโนโลยี | Standard | Schottky | Standard | Super Barrier |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Surface Mount |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SBR25 | SBR25 | SBR25 | SBR2A30 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| ชุด | - | - | - | SBR® |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | POWERDI®123 |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 580 mV @ 25 A | 1 V @ 25 A | 580 mV @ 25 A | 450 mV @ 2 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 35 V | 20 V | 45 V | 30 V |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 mA @ 35 V | 350 µA @ 20 V | 2 mA @ 45 V | 200 µA @ 30 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | - | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SBR2535 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ SBR2535 - Microchip Technology
SBR2A40BLP-13Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1P 40V 2A DFN5060-4SBR2506IRIGBT Module
SBR2A100SA-13-FDiodes IncorporatedSBR2520Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 20V 25A DO4SBR2A30P1Diodes IncorporatedSBR2508IRIGBT ModuleSBR2A30P1-7-FDiodes IncorporatedSBR2545Microchip TechnologyRECTIFIER
SBR2535RMicrosemiIGBT ModuleSBR2530RMicrosemiIGBT ModuleSBR2A30P1-7Diodes IncorporatedDIODE SBR 30V 2A POWERDI123SBR2516IRIGBT ModuleSBR2540Microchip TechnologyRECTIFIERSBR2530Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 30V 25A DO4SBR2504IRIGBT ModuleSBR2A150SA-13-FDiodes IncorporatedSBR2A150SA-13Diodes IncorporatedSBR2514IRIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที