ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4934
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diotec Semiconductor - 1N4934 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diotec Semiconductor - 1N4934
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diotec Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-41/DO-204AC | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 200 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AC, DO-41, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -50°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diotec Semiconductor 1N4934
| คุณสมบัติสินค้า | |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4934 | 1N4934 | 1N4934G | 1N4934G |
| ผู้ผลิต | Diotec Semiconductor | NTE Electronics, Inc | onsemi | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 12pF @ 4V, 1MHz | - | 10pF @ 4V, 1MHz |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 1 A | 1.2 V @ 1 A | 1.2 V @ 1 A | 1.2 V @ 1 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -50°C ~ 150°C | -50°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 200 ns | 150 ns | 300 ns | 200 ns |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 100 V | 5 µA @ 100 V | 5 µA @ 100 V | 5 µA @ 100 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-41/DO-204AC | DO-41 | Axial | DO-204AL (DO-41) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bag | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AC, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N4934 PDF และเอกสาร Diotec Semiconductor สำหรับ 1N4934 - Diotec Semiconductor
1N4764A-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 100V 1.3W DO41
1N4771AMicrochip TechnologyDIODE ZENER 9.1V 500MW DO351N4934NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 100V 1A DO411N4934GonsemiDIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL1N4934GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL1N4767BFD1N4935-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL1N4935onsemiDIODE GEN PURP 200V 1A DO411N4934-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL1N4934onsemiDIODE GEN PURP 100V 1A DO411N4934RLGonsemiDIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL1N4935NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 200V 1A DO41
1N4878MicrosemiIGBT Module
1N4934-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 1A DO411N4934G-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 1A DO411N4935Diotec SemiconductorDIODE FR DO-41 200V 1A1N484BMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 125V 200MA DO351N4764A-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 100V 1.3W DO41| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที