ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4764A-TR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N4764A-TR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N4764A-TR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 100 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 mA | |
| ความอดทน | ±5% | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-204AL (DO-41) | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.3 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 350 Ohms | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 76 V | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N4764 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4764A-TR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4764A-TR | 1N4763A | 1N4763A-TR | 1N4764A |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | NTE Electronics, Inc | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | SMC Diode Solutions |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 175°C (TJ) | -65°C ~ 20°C | 175°C (TJ) | 200°C |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N4764 | - | 1N4763 | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 76 V | 5 µA @ 69.2 V | 5 µA @ 69.2 V | 5 µA @ 76 V |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | - | Automotive, AEC-Q101 | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 mA | - | 1.2 V @ 200 mA | 1.2 V @ 200 mA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-204AL (DO-41) | Axial | DO-204AL (DO-41) | DO-41 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bag | Tape & Reel (TR) | Tape & Box (TB) |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.3 W | 1 W | 1.3 W | 1 W |
| ความอดทน | ±5% | ±0.5% | ±5% | ±5% |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 350 Ohms | 250 Ohms | 250 Ohms | 350 Ohms |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 100 V | 91 V | 91 V | 100 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N4764A-TR PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ 1N4764A-TR - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1N4880MicrosemiIGBT Module1N4934Diotec SemiconductorDIODE FR DO-41 100V 1A
1N484BMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 125V 200MA DO351N4763ANTE Electronics, IncDIODE ZENER 91V 1W AXIAL1N4763A-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 91V 1.3W DO411N4764ASMC Diode SolutionsDIODE ZENER 100V 1W DO411N4764ATaiwan Semiconductor CorporationDIODE ZENER 100V 1W DO204AL1N4767BFD
1N4764Electro-Films (EFI) / Vishay1N4764ANTE Electronics, IncDIODE ZENER 100V 1W AXIAL1N4763ATaiwan Semiconductor CorporationDIODE ZENER 91V 1W DO204AL1N4878MicrosemiIGBT Module
1N4934onsemiDIODE GEN PURP 100V 1A DO411N4934NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 100V 1A DO411N4763ASMC Diode SolutionsDIODE ZENER 91V 1W DO411N4880RMSCIGBT Module1N4764A-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 100V 1.3W DO411N4771AMicrochip TechnologyDIODE ZENER 9.1V 500MW DO35| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที