ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5401
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diotec Semiconductor - 1N5401 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diotec Semiconductor - 1N5401
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diotec Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-201 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 1.5 µs |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AA, DO-27, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -50°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diotec Semiconductor 1N5401
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5401 | 1N5401G | 1N5400G | 1N5401RLG |
| ผู้ผลิต | Diotec Semiconductor | SMC Diode Solutions | onsemi | onsemi |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ชุด | - | - | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 30pF @ 4V, 1MHz | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 100 V | 5 µA @ 100 V | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 100 V |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 1.5 µs | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 3 A | 1.1 V @ 3 A | 1 V @ 3 A | 1 V @ 3 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 100 V | 50 V | 100 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-201AA, DO-27, Axial |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-201 | DO-201AD | Axial | Axial |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Box (TB) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 3A | 3A | 3A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -50°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5401 PDF และเอกสาร Diotec Semiconductor สำหรับ 1N5401 - Diotec Semiconductor
1N5401GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD1N5400GonsemiDIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL1N5401RLGonsemiDIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL1N5400GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD1N5401GGood-Ark SemiconductorRECTIFIER, GENERAL PURPOSE, GLAS1N5401GonsemiDIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL1N5401NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
1N5401SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD1N5401RLonsemiDIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL1N5401-DIPMIC
1N5401onsemiDIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
1N5400G-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD
1N5401Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
1N5400GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD1N5400RLGonsemiDIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL1N5401GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
1N5401-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD1N5401-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที