ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5401G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Taiwan Semiconductor Corporation - 1N5401G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Taiwan Semiconductor Corporation - 1N5401G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-201AD | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AD, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Taiwan Semiconductor Corporation 1N5401G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5401G | 1N5401 | 1N5401RLG | 1N5402 |
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor Corporation | SMC Diode Solutions | onsemi | onsemi |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 100 V | 100 V | 200 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 100 V | 5 µA @ 100 V | 10 µA @ 100 V | 5 µA @ 200 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 3A | 3A | 3A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 3 A | 1.2 V @ 3 A | 1 V @ 3 A | 1.2 V @ 3 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-201AD, Axial |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-201AD | DO-201AD | Axial | DO-201AD |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Box (TB) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz | 30pF @ 0V, 1MHz | - | 30pF @ 4V, 1MHz |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5401G PDF และเอกสาร Taiwan Semiconductor Corporation สำหรับ 1N5401G - Taiwan Semiconductor Corporation
1N5401SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD1N5401RLGonsemiDIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL1N5402onsemiDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD1N5401onsemiDIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
1N5401Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
1N5401-DIPMIC
1N5401GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD1N5401NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD1N5401RLonsemiDIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL1N5401TRAMI Semiconductor/onsemi1N5402Diotec SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 3A DO2011N5402NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD1N5401Diotec SemiconductorDIODE STD DO-201 100V 3A
1N5401-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD1N5402Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 1V 3A DO2011N5401GonsemiDIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL1N5401GGood-Ark SemiconductorRECTIFIER, GENERAL PURPOSE, GLAS
1N5401-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที