ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR30100CT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diotec Semiconductor - MBR30100CT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diotec Semiconductor - MBR30100CT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diotec Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 850 mV @ 15 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -50°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 15A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diotec Semiconductor MBR30100CT
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR30100CT | MBR30060CT | MBR30100FCT | MBR30100CT |
| ผู้ผลิต | Diotec Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | Yangjie Technology | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 100 V | 8 mA @ 20 V | 500 µA @ 100 V | 200 µA @ 100 V |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | Twin Tower | ITO-220AB | TO-220AB |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Chassis Mount | Through Hole | Through Hole |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -50°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 15A | 150A | 30A | 30A |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | Twin Tower | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 60 V | 100 V | 100 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 850 mV @ 15 A | 750 mV @ 150 A | - | 940 mV @ 30 A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR30100CT PDF และเอกสาร Diotec Semiconductor สำหรับ MBR30100CT - Diotec Semiconductor
MBR30060CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 60V 150A 2TOWERMBR30100FCTYangjie TechnologyITO-220AB 100V 30A Diodes Rect
MBR30100CTWLITEONMBR30100CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
MBR30100CTF-E1Diodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220FMBR30100CT_T0_00001Panjit International Inc.TO-220AB, SKYMBR30080CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 80V 150A 2TOWER
MBR30100SMC Diode Solutions100V, 30A, TO-220AC, SCHOTTKY RE
MBR30100CTSMC Diode SolutionsDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220MBR30100CTGFIRST
MBR30100CT-E1Diodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220MBR30060MITSUBSHIIGBT ModuleMBR30100HCTMHCHXMMBR30100CTF-G1Diodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220FMBR30100CTYangjie TechnologyDiodes - Rectifiers - Single TO-MBR30100FCFRAGILEMBR30100CT MOSDiodes IncorporatedMBR30090CTIXFNIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที