ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR30080CT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBR30080CT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBR30080CT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 840 mV @ 150 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 8 mA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 150A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR30080 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBR30080CT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR30080CT | MBR30100CT | MBR30100CT | MBR30100CT-E1 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | SMC Diode Solutions | Diotec Semiconductor | Diodes Incorporated |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| ชุด | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR30080 | MBR30100 | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 8 mA @ 20 V | 1 mA @ 100 V | 50 µA @ 100 V | 100 µA @ 100 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | TO-220AB | TO-220AB | TO-220-3 |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 150A | - | 15A | 15A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -50°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 840 mV @ 150 A | 850 mV @ 15 A | 850 mV @ 15 A | 850 mV @ 15 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR30080CT PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBR30080CT - GeneSiC Semiconductor
MBR30045LMOTOROLAIGBT ModuleMBR30050CTMOTOROLAIGBT ModuleMBR30100CTSMC Diode SolutionsDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220MBR30100CTDiotec SemiconductorSchottkyD, 100V, 30AMBR30100CT-E1Diodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220MBR30050MOTOROLAIGBT Module
MBR30100CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
MBR30045CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 45V 150A 2TOWERMBR30045MOTOROLAIGBT Module
MBR30100SMC Diode Solutions100V, 30A, TO-220AC, SCHOTTKY REMBR30090CTIXFNIGBT ModuleMBR30060CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 60V 150A 2TOWERMBR30045CTLGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 45V 150A 2 TOWERMBR30100CTYangjie TechnologyDiodes - Rectifiers - Single TO-
MBR30100CTF-E1Diodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220FMBR30045CT MBRP30045CTMOTOROLAIGBT ModuleMBR30100CT MOSDiodes IncorporatedMBR30060MITSUBSHIIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที