ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SBJ1845
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diotec Semiconductor - SBJ1845 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diotec Semiconductor - SBJ1845
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diotec Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 580 mV @ 18 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 45 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -50°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 500 µA @ 45 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 18A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diotec Semiconductor SBJ1845
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SBJ1845 | PDS1040Q-13 | STTH30RQ06G2Y-TR | NRVBA340NT3G |
| ผู้ผลิต | Diotec Semiconductor | Diodes Incorporated | STMicroelectronics | onsemi |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 18A | 10A | 30A | 3A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | PowerDI™ 5 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | DO-214AC, SMA |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 500 µA @ 45 V | 700 µA @ 40 V | 40 µA @ 600 V | 300 µA @ 40 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ชุด | - | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 | Automotive, AEC-Q101 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -50°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -40°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 580 mV @ 18 A | 510 mV @ 10 A | 2.95 V @ 30 A | 450 mV @ 3 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 45 V | 40 V | 600 V | 40 V |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Standard | Schottky |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | PowerDI™ 5 | D2PAK HV | SMA |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SBJ1845 PDF และเอกสาร Diotec Semiconductor สำหรับ SBJ1845 - Diotec Semiconductor
SBJ100505T-300Y-NChilisin ElectronicsPDS1040Q-13Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 40V 10A POWERDI5STTH30RQ06G2Y-TRSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK HVSBJ100505T-301Y-NChilisin ElectronicsSBJ100505T-182Y-NChilisin ElectronicsSBJ100505T-471Y-NChilisin ElectronicsNRVBA340NT3GonsemiDIODE SCHOTTKY 40V 3A SMA
HFA15TB60Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
S1K-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 1A DO214ACSBJ100505T-121Y-NChilisin Electronics1N5404MDDDIODE GEN PURP 400V 3A DO27SA2M-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 2A DO214ACFES8DT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 8A TO220ACSBJ100505T-102Y-NChilisin Electronics
RFN10BM3STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 350V 10A TO252
STPS3H100AFSTMicroelectronicsDIODE SCHOTT 100V 3A SOD128FLAT
RURG3060Fairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, AVALANCHE, 30A,
STTH30R06WSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 600V 30A DO247| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที