ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RFN10BM3STL
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - RFN10BM3STL คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - RFN10BM3STL
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 10 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 350 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 30 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 350 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 10A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFN10 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor RFN10BM3STL
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RFN10BM3STL | RFN10NS3STL | RFN1L6STE25 | RFN10TF6S |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252 | LPDS | PMDS | TO-220NFM |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 30 ns | 30 ns | 35 ns | 50 ns |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 350 V | 10 µA @ 350 V | 1 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | 150°C | 150°C (Max) | 150°C (Max) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 10 A | 1.5 V @ 10 A | 1.45 V @ 800 mA | 1.55 V @ 10 A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | DO-214AC, SMA | TO-220-2 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 350 V | 350 V | 600 V | 600 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFN10 | RFN10 | RFN1L6 | RFN10 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 10A | 10A | 800mA | 10A |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล RFN10BM3STL PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ RFN10BM3STL - Rohm Semiconductor
RFN1L6S-TE25LAPIS TechnologyRFN1L7S-TE25LAPIS TechnologyRFN10NS3STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 350V 10A LPDSRFN1L6STE25Rohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 800MA PMDSRFN10TF6SRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFMRFN1L7SLAPIS Technology
RFN1LAM6STRRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTMRFN10B3SLAPIS TechnologyRFN10T2D FF67LAPIS TechnologyRFN10NS3SLAPIS TechnologyRFN1L6SLAPIS TechnologyRFN10BP3SLAPIS TechnologyRFN1L6SFJLAPIS TechnologyRFN10B3S TLLAPIS TechnologyRFN1L7SFJ-TE25LAPIS Technology
RFN12TJ6SROHM1RFN1LAM6SLAPIS TechnologyRFN10T2DRohm SemiconductorDIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที