ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BR5006W
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ EIC SEMICONDUCTOR INC. - BR5006W คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ EIC SEMICONDUCTOR INC. - BR5006W
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | EIC Semiconductor, Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 600 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 25 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | BR-50W | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-Square, BR-50W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bag | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 50 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ EIC SEMICONDUCTOR INC. BR5006W
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BR5006W | GBU810 | GBPC2510W | BU2510-E3/51 |
| ผู้ผลิต | EIC SEMICONDUCTOR INC. | SMC Diode Solutions | GeneSiC Semiconductor | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | BR-50W | GBU | GBPC-W | isoCINK+™ BU |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-Square, BR-50W | 4-ESIP | 4-Square, GBPC-W | 4-SIP, BU |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 25 A | 1.1 V @ 8 A | 1.1 V @ 12.5 A | 1.05 V @ 12.5 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bag | Tube | Bulk | Bulk |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 50 A | 8 A | 25 A | 3.5 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 600 V | 1 kV | 1 kV | 1 kV |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BR5006W PDF และเอกสาร EIC SEMICONDUCTOR INC. สำหรับ BR5006W - EIC SEMICONDUCTOR INC.
GBU810SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A GBUBR50N06VBSEMI
BR521S-30TE61LAPIS TechnologyGBPC2510WGeneSiC SemiconductorBRIDGE RECT 1P 1KV 25A GBPC-WBU2510-E3/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1P 1KV 3.5A BU
VBO52-16NO7IXYSBRIDGE RECT 1P 1.6KV 52A PWS-DBR5006WYangjie TechnologyDiodes - Bridge Rectifiers BR-W
GBP308Diodes IncorporatedLOW POWER BRIDGE GBP TUBE 35PCSBR5010EIC SEMICONDUCTOR INC.STD 50A, CASE TYPE: BR50BR56-11SRWAORIG
2KBP04M-E4/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A KBPM
GBPC3504WSMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-W
GBPC3510Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 1V 35A GBPC
BR5010Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 1000V 50A GBPC50-G
GSIB660-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1P 600V 2.8A GSIB-5S
GBPC2502WFairchild SemiconductorBRIDGE RECTIFIER DIODE, 1 PHASE,BR5122BESTRELYBR5166BESTRELY| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที