ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี GBPC3510
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diodes Incorporated - GBPC3510 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diodes Incorporated - GBPC3510
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1 kV | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 17.5 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBPC | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-Square, GBPC |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | QC Terminal | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBPC3510 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Affected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diodes Incorporated GBPC3510
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | GBPC3510 | GBPC3508W | GBPC3510-E4/51 | GBPC3510 |
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | SURGE |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 800 V | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35 A | 35 A | 35 A | 35 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-Square, GBPC | 4-Square, GBPC-W | 4-Square, GBPC | 4-Square, GBPC |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Box | Bag |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBPC | GBPC-W | GBPC | GBPC |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBPC3510 | GBPC3508 | GBPC3510 | GBPC35 |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1 kV | 800 V | 1 kV | 1 kV |
| ประเภทการติดตั้ง | QC Terminal | Through Hole | QC Terminal | QC Terminal |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 17.5 A | 1.1 V @ 17.5 A | 1.1 V @ 17.5 A | 1.1 V @ 17.5 A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล GBPC3510 PDF และเอกสาร Diodes Incorporated สำหรับ GBPC3510 - Diodes Incorporated
GBPC3508WonsemiBRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-WGBPC3510-E4/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A GBPCGBPC3510SURGE35A -1000V - GBPC - BRIDGE
GBPC3508WGeneSiC SemiconductorBRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-W
GBPC3508WDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PH 800V 35A GBPC-W
GBPC3510WSURGE35A -1000V - GBPC-W - BRIDGE
GBPC3510WYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 1000V 35A GBPCW-G
GBPC3510SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A GBPC
GBPC3510Fairchild SemiconductorBRIDGE RECTIFIER DIODE, 1 PHASE,
GBPC3508WTaiwan Semiconductor Corporation35A, 800V, STANDARD BRIDGE RECTI
GBPC3510Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 1000V 35A GBPCGBPC3508WYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 800V 35A GBPCW-GGBPC3508WFairchild SemiconductorBRIDGE RECTIFIER DIODE, 1 PHASE,
GBPC3510onsemiBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A GBPC
GBPC3508WSMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-WGBPC3510WTaiwan Semiconductor Corporation35A, 1000V, STANDARD BRIDGE RECT
GBPC3510AMICIGBT ModuleGBPC3510Taiwan Semiconductor Corporation35A, 1000V, STANDARD BRIDGE RECT| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที