ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RBV5010
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ EIC SEMICONDUCTOR INC. - RBV5010 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ EIC SEMICONDUCTOR INC. - RBV5010
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | EIC Semiconductor, Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1 kV | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 25 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | RBV-25 | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, RBV-25 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bag | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 50 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV5010
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RBV5010 | MSD200-08 | GBJ2010 | MB2S-E3/45 |
| ผู้ผลิต | EIC SEMICONDUCTOR INC. | Microsemi Corporation | SMC Diode Solutions | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, RBV-25 | M3 | 4-ESIP | TO-269AA, 4-BESOP |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1 kV | 800 V | 1 kV | 200 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Chassis Mount | Through Hole | Surface Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bag | Bulk | Tube | Tube |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | RBV-25 | M3 | GBJ | TO-269AA (MBS) |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 1000 V | 300 µA @ 800 V | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 200 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Three Phase | Single Phase | Single Phase |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 25 A | 1.55 V @ 300 A | 1.1 V @ 20 A | 1 V @ 400 mA |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 50 A | 200 A | 20 A | 500 mA |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล RBV5010 PDF และเอกสาร EIC SEMICONDUCTOR INC. สำหรับ RBV5010 - EIC SEMICONDUCTOR INC.
RBV-1506SSanken Electric Co., Ltd.RBV-404Sanken Electric Co., Ltd.RBV-2506Sanken Electric Co., Ltd.IGBT ModuleMSD200-08Microsemi CorporationBRIDGE RECT 3PHASE 800V 200A M3GBJ2010SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJRBV-604Sanken Electric Co., Ltd.MB2S-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1P 200V TO269AARBV5006EIC SEMICONDUCTOR INC.BRIGDE RECTIFIER 50A 600V, CASE
2KBP08M-E4/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBPMRBV-608Sanken Electric Co., Ltd.RBV-406Sanken Electric Co., Ltd.RBV606EIC SEMICONDUCTOR INC.BRIGDE RECTIFIER 6A 600V, CASE TRBV608SKRBV-40CMITSUBISHIRBV-1506IGBT ModuleRBV-606Sanken Electric Co., Ltd.
GBPC2510WGeneSiC SemiconductorBRIDGE RECT 1P 1KV 25A GBPC-W
NSR1030QMUTAGonsemiBRIDGE RECT 1PHASE 30V 1A 4UDFN| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที