ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RBV606
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ EIC SEMICONDUCTOR INC. - RBV606 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ EIC SEMICONDUCTOR INC. - RBV606
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | EIC Semiconductor, Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 600 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 3 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | RBV-25 | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, RBV-25 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bag | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 6 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV606
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RBV606 | VUO62-08NO7 | KBP06M-E4/51 | DF005S1 |
| ผู้ผลิต | EIC SEMICONDUCTOR INC. | IXYS | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 3 A | 1.8 V @ 150 A | 1.05 V @ 3 A | 1.1 V @ 1 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 600 V | 800 V | 600 V | 50 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Chassis Mount | Through Hole | Surface Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | RBV-25 | PWS-D | KBPM | 4-SDIP |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bag | Box | Tray | Tape & Reel (TR) |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Three Phase | Single Phase | Single Phase |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 6 A | 63 A | 1.5 A | 1 A |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | 300 µA @ 800 V | 5 µA @ 600 V | 3 µA @ 50 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, RBV-25 | PWS-D | 4-SIP, KBPM | 4-SMD, Gull Wing |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล RBV606 PDF และเอกสาร EIC SEMICONDUCTOR INC. สำหรับ RBV606 - EIC SEMICONDUCTOR INC.
VUO62-08NO7IXYSBRIDGE RECT 3P 800V 63A PWS-DKBP06M-E4/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1P 600V 1.5A KBPM
RBV-604Sanken Electric Co., Ltd.RBV-404Sanken Electric Co., Ltd.RBV-606Sanken Electric Co., Ltd.DF005S1onsemiBRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A 4SDIP
M5060SB1200Sensata-CrydomBRIDGE RECT 1P 1.2KV 60A MODULERBV-1506SSanken Electric Co., Ltd.RBV-608Sanken Electric Co., Ltd.RBV-406Sanken Electric Co., Ltd.RBV-2506Sanken Electric Co., Ltd.IGBT Module
VUO16-12NO1IXYSBRIDGE RECT 3P 1.2KV 20A V1-ARBV5010EIC SEMICONDUCTOR INC.BRIGDE RECTIFIER 50A 1000V, CASERBV-1506IGBT ModuleRBV-40CMITSUBISHI
GBU802Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A GBURBV608SKRBV5006EIC SEMICONDUCTOR INC.BRIGDE RECTIFIER 50A 600V, CASE| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที