ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SI4200-BM
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Silicon Labs - SI4200-BM คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Silicon Labs - SI4200-BM
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Energy Micro (Silicon Labs) | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3V | |
| ชนิด | TxRx Only | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 32-MLP (5x5) | |
| ชุด | Aero™ + | |
| การเชื่อมต่อแบบอนุกรม | SPI | |
| ความไวแสง | - | |
| ครอบครัว / มาตรฐาน RF | Cellular | |
| โปรโตคอล | GSM, GPRS | |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท | 9dBm | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 32-VFQFN Exposed Pad |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -20°C ~ 85°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| การปรับ | - | |
| ขนาดหน่วยความจำ | - | |
| ความถี่ | 850MHz, 900MHz, 1.8GHz, 1.9GHz | |
| อัตราข้อมูล (สูงสุด) | - | |
| ปัจจุบัน - ส่งสัญญาณ | 60mA | |
| ปัจจุบัน - รับ | 55mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI4200 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Silicon Labs SI4200-BM
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SI4200-BM | SI4200-GM | SI4178DY-T1-E3 | SI418DY |
| ผู้ผลิต | Silicon Labs | Silicon Labs | Vishay Siliconix | SI |
| ความถี่ | 850MHz, 900MHz, 1.8GHz, 1.9GHz | 850MHz, 900MHz, 1.8GHz, 1.9GHz | - | - |
| ขนาดหน่วยความจำ | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 32-VFQFN Exposed Pad | 32-VFQFN Exposed Pad | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - |
| อัตราข้อมูล (สูงสุด) | - | - | - | - |
| โปรโตคอล | GSM, GPRS | GSM, GPRS | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3V | 2.7V ~ 3V | - | - |
| การเชื่อมต่อแบบอนุกรม | SPI | SPI | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -20°C ~ 85°C | -20°C ~ 85°C | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 32-MLP (5x5) | 32-MLP (5x5) | 8-SOIC | - |
| ชนิด | TxRx Only | TxRx Only | - | - |
| ความไวแสง | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| ปัจจุบัน - ส่งสัญญาณ | 60mA | 60mA | - | - |
| ชุด | Aero™ + | Aero™ + | TrenchFET® | - |
| การปรับ | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI4200 | SI4200 | SI4178 | - |
| ปัจจุบัน - รับ | 55mA | 55mA | - | - |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท | 9dBm | 9dBm | - | - |
| ครอบครัว / มาตรฐาน RF | Cellular | Cellular | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SI4200-BM PDF และเอกสาร Silicon Labs สำหรับ SI4200-BM - Silicon Labs
SI4178DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 12A 8SOSI418DYSI
SI4200DYElectro-Films (EFI) / VishaySI4196DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 8A 8SOSI4178DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Si4200DB-BMRSilicon PowerSI4188DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4186DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOSI4190ADY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 18.4A 8SOSI4190DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 20A 8-SOICSI4200DB-BMSilicon PowerSI4186DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4200-GMSilicon LabsIC RF TXRX CELLULAR 32VFQFNSI4201-BMRSilicon PowerSI4200BMSILSI4200-BMRSilicon PowerSI4200DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOICSi4200DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / Vishay| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที