ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SI4190DY-T1-GE3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - SI4190DY-T1-GE3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - SI4190DY-T1-GE3
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.8V @ 250µA | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 15A, 10V | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2000 pF @ 50 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 58 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 20A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI4190 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix SI4190DY-T1-GE3
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | SI4190DY-T1-GE3 | SI4190ADY-T1-GE3 | SI4196DY-T1-GE3 | SI4186DY-T1-GE3 |
ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 15A, 10V | 8.8mOhm @ 15A, 10V | 27mOhm @ 8A, 4.5V | 2.6mOhm @ 15A, 10V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 20A (Tc) | 18.4A (Tc) | 8A (Tc) | 35.8A (Tc) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI4190 | SI4190 | SI4196 | SI4186 |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 58 nC @ 10 V | 67 nC @ 10 V | 22 nC @ 8 V | 90 nC @ 10 V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ชุด | - | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.8V @ 250µA | 2.8V @ 250µA | 1V @ 250µA | 2.4V @ 250µA |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2000 pF @ 50 V | 1970 pF @ 50 V | 830 pF @ 10 V | 3630 pF @ 10 V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 100 V | 20 V | 20 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SI4190DY-T1-GE3 PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ SI4190DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที