ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MR25H40MDF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Everspin Technologies Inc. - MR25H40MDF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Everspin Technologies Inc. - MR25H40MDF
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | EverSpin Technologies, Inc. | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 3V ~ 3.6V | |
| เทคโนโลยี | MRAM (Magnetoresistive RAM) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-DFN-EP, Small Flag (5x6) | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q100 | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-VDFN Exposed Pad | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 4Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 512K x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | SPI | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | RAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 40 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MR25H40 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Everspin Technologies Inc. MR25H40MDF
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MR25H40MDF | MR25H128ACDF | MR25H40CDF | MR25H256ACDF |
| ผู้ผลิต | Everspin Technologies Inc. | Everspin Technologies Inc. | Everspin Technologies Inc. | Everspin Technologies Inc. |
| องค์กรหน่วยความจำ | 512K x 8 | 16K x 8 | 512K x 8 | 32K x 8 |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 3V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 3V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V |
| รูปแบบหน่วยความจำ | RAM | RAM | RAM | RAM |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-VDFN Exposed Pad | 8-VDFN Exposed Pad | 8-VDFN Exposed Pad | 8-VDFN Exposed Pad |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ชุด | Automotive, AEC-Q100 | Automotive, AEC-Q100 | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-DFN-EP, Small Flag (5x6) | 8-DFN-EP, Small Flag (5x6) | 8-DFN-EP, Small Flag (5x6) | 8-DFN (5x6) |
| ความถี่นาฬิกา | 40 MHz | 40 MHz | 40 MHz | 40 MHz |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | SPI | SPI | SPI | SPI |
| เทคโนโลยี | MRAM (Magnetoresistive RAM) | MRAM (Magnetoresistive RAM) | MRAM (Magnetoresistive RAM) | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MR25H40 | MR25H128 | MR25H40 | MR25H256 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tray | Tray |
| ขนาดหน่วยความจำ | 4Mbit | 128Kbit | 4Mbit | 256Kbit |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MR25H40MDF PDF และเอกสาร Everspin Technologies Inc. สำหรับ MR25H40MDF - Everspin Technologies Inc.
MR25H16CDCN/AMR26V25655J-OHEMB03AOKIMR25H128ACDFEverspin Technologies Inc.IC RAM 128KBIT SPI 40MHZ 8DFNMR25H40CDFEverspin Technologies Inc.IC RAM 4MBIT SPI 40MHZ 8DFNMR26V6455J-103OKIMR25H256ACDFEverspin Technologies Inc.IC RAM 256KBIT SPI 40MHZ 8DFNMR26V6420GOKIMR27C1602B-075MAZ03AOKIMR25H256CDFEverspin Technologies Inc.IC RAM 256KBIT SPI 40MHZ 8DFNMR25H256MDFEverspin Technologies Inc.IC RAM 256KBIT SPI 40MHZ 8DFNMR25H40CDCEverspin Technologies Inc.IC RAM 4MBIT SPI 40MHZ 8DFNMR26V25605JOKIMR25H256CDCEverspin Technologies Inc.IC RAM 256KBIT SPI 40MHZ 8DFNMR27T12800JOKIMR27C1602BRAZ03AOKIMR25H256MDCEverspin Technologies Inc.IC RAM 256KBIT SPI 40MHZ 8DFNMR27C1602BRAOKIMR27C64-25/BRochester Electronics, LLC64K (8K X 8) EPROM| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที