ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MR4A16BYS35
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Everspin Technologies Inc. - MR4A16BYS35 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Everspin Technologies Inc. - MR4A16BYS35
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | EverSpin Technologies, Inc. | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 35ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 3V ~ 3.6V | |
| เทคโนโลยี | MRAM (Magnetoresistive RAM) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 54-TSOP2 | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 54-TSOP (0.400', 10.16mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 16Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 1M x 16 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | RAM | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MR4A16 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 35 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Everspin Technologies Inc. MR4A16BYS35
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MR4A16BYS35 | MR4A08BMA35 | MR4A16BCMA35 | MR4A08BCYS35 |
| ผู้ผลิต | Everspin Technologies Inc. | Everspin Technologies Inc. | Everspin Technologies Inc. | Everspin Technologies Inc. |
| รูปแบบหน่วยความจำ | RAM | RAM | RAM | RAM |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| เทคโนโลยี | MRAM (Magnetoresistive RAM) | MRAM (Magnetoresistive RAM) | MRAM (Magnetoresistive RAM) | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| เวลาในการเข้าถึง | 35 ns | 35 ns | 35 ns | 35 ns |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 54-TSOP (0.400', 10.16mm Width) | 48-LFBGA | 48-LFBGA | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| องค์กรหน่วยความจำ | 1M x 16 | 2M x 8 | 1M x 16 | 2M x 8 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 54-TSOP2 | 48-FBGA (10x10) | 48-FBGA (8x8) | 44-TSOP2 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tray | Tray |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MR4A16 | MR4A08 | MR4A16 | MR4A08 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| ชุด | - | - | - | - |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 35ns | 35ns | 35ns | 35ns |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 3V ~ 3.6V | 3V ~ 3.6V | 3V ~ 3.6V | 3V ~ 3.6V |
| ขนาดหน่วยความจำ | 16Mbit | 16Mbit | 16Mbit | 16Mbit |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MR4A16BYS35 PDF และเอกสาร Everspin Technologies Inc. สำหรับ MR4A16BYS35 - Everspin Technologies Inc.
MR4710SHINDENGEMR4A08BMA35Everspin Technologies Inc.IC RAM 16MBIT PARALLEL 48FBGAMR4020SHINDENGENMR4A16BCMA35Everspin Technologies Inc.IC RAM 16MBIT PARALLEL 48FBGAMR4A08BCYS35Everspin Technologies Inc.IC RAM 16MBIT PARALLEL 44TSOP2MR4030SHINDENMR4A16BMA35Everspin Technologies Inc.IC RAM 16MBIT PARALLEL 48FBGAMR4040SHINDENGEN
MT29F256G08AKCBBH7-6IT:BMicron Technology Inc.IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
RM24C32C-LSNI-BAdesto TechnologiesIC CBRAM 32KBIT I2C 1MHZ 8SOICMR4A16BYS35REverspin Technologies Inc.IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2MR4010SHINDENGENMR4A16BCYS35REverspin Technologies Inc.IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2
MR44V064BMAZAATLRohm SemiconductorIC FRAM 64KBIT I2C 3.4MHZ 8SOPMR4530SHINDENGENMR4A16BCYS35Everspin Technologies Inc.IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2MR4520SHINDENGEMR4A08BCMA35Everspin Technologies Inc.IC RAM 16MBIT PARALLEL 48FBGA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที