ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MR4A16BYS35R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Everspin Technologies Inc. - MR4A16BYS35R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Everspin Technologies Inc. - MR4A16BYS35R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | EverSpin Technologies, Inc. | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 35ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 3V ~ 3.6V | |
| เทคโนโลยี | MRAM (Magnetoresistive RAM) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 54-TSOP2 | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 16Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 1M x 16 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | RAM | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MR4A16 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 35 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Everspin Technologies Inc. MR4A16BYS35R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MR4A16BYS35R | MR4A16BMA35 | MR4A08BCMA35 | MR4A16BCMA35 |
| ผู้ผลิต | Everspin Technologies Inc. | Everspin Technologies Inc. | Everspin Technologies Inc. | Everspin Technologies Inc. |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MR4A16 | MR4A16 | MR4A08 | MR4A16 |
| องค์กรหน่วยความจำ | 1M x 16 | 1M x 16 | 2M x 8 | 1M x 16 |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 3V ~ 3.6V | 3V ~ 3.6V | 3V ~ 3.6V | 3V ~ 3.6V |
| เวลาในการเข้าถึง | 35 ns | 35 ns | 35 ns | 35 ns |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| รูปแบบหน่วยความจำ | RAM | RAM | RAM | RAM |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 54-TSOP2 | 48-FBGA (10x10) | 48-FBGA (10x10) | 48-FBGA (8x8) |
| ชุด | - | - | - | - |
| ขนาดหน่วยความจำ | 16Mbit | 16Mbit | 16Mbit | 16Mbit |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 35ns | 35ns | 35ns | 35ns |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) | 48-LFBGA | 48-LFBGA | 48-LFBGA |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tray | Tray | Tray |
| เทคโนโลยี | MRAM (Magnetoresistive RAM) | MRAM (Magnetoresistive RAM) | MRAM (Magnetoresistive RAM) | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MR4A16BYS35R PDF และเอกสาร Everspin Technologies Inc. สำหรับ MR4A16BYS35R - Everspin Technologies Inc.
MR4A16BMA35Everspin Technologies Inc.IC RAM 16MBIT PARALLEL 48FBGAMR4A08BCMA35Everspin Technologies Inc.IC RAM 16MBIT PARALLEL 48FBGAMR4A16BCMA35Everspin Technologies Inc.IC RAM 16MBIT PARALLEL 48FBGA
MR44V064BMAZAATLRohm SemiconductorIC FRAM 64KBIT I2C 3.4MHZ 8SOP
MR4040SHINDENGENMR4A16BYS35Everspin Technologies Inc.IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2
MR4A08BCYS35Everspin Technologies Inc.IC RAM 16MBIT PARALLEL 44TSOP2MR4530SHINDENGENMR4520SHINDENGEMR4010SHINDENGEN
CY7C1324H-133AXCInfineon TechnologiesIC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP
MT46V32M16FN-6:FMicron Technology Inc.IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGAMR4030SHINDENMR4A08BMA35Everspin Technologies Inc.IC RAM 16MBIT PARALLEL 48FBGAMR4020SHINDENGENMR4710SHINDENGEMR4A16BCYS35REverspin Technologies Inc.IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2MR4A16BCYS35Everspin Technologies Inc.IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที