ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3070
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - 1N3070 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - 1N3070
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 100 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 175 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 500mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor 1N3070
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3070 | 1N3087R | 1N3070 | 1N3087R |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Texas Instruments | Microchip Technology |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 500mA | 150A | 100mA | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns | - | 50 ns | - |
| ชุด | - | - | - | * |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 175 V | 17 mA @ 300 V | 100 nA @ 175 V | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | DO-205AC (DO-30) | DO-35 | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 300 V | 200 V | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Stud Mount | Through Hole | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-205AC, DO-30, Stud | DO-204AH, DO-35, Axial | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 100 mA | 1.2 V @ 150 A | 1 V @ 100 mA | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | -65°C ~ 200°C | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
1N3087RVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 300V 150A DO205AC1N3045A1N3070Texas InstrumentsDIODE GEN PURP 200V 100MA DO351N3086IRIGBT Module1N3087RMicrochip TechnologySTD RECTIFIER
1N3042BSolid State Inc.1 WATT ZENER DIODE D0-131N3033BSolid State Inc.1 WATT ZENER DIODE D0-131N3045BSolid State Inc.1 WATT ZENER DIODE D0-131N3034BSolid State Inc.1 WATT ZENER DIODE D0-131N3087Microchip TechnologySTD RECTIFIER
1N3070onsemiDIODE GEN PURP 200V 500MA DO351N3040AMSC1N3070TRonsemiDIODE GEN PURP 200V 500MA DO351N3040BSolid State Inc.1 WATT ZENER DIODE D0-131N3046MOTO1N3085Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 150A DO205AC1N3064TRonsemiDIODE GEN PURP 75V 300MA DO35
1N3070Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 175V 100MA DO7| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที