ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3085
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N3085 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N3085
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 150 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AC (DO-30) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AC, DO-30, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 mA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 150A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3085 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N3085
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3085 | 1N3087R | 1N3070 | 1N3070 |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Fairchild Semiconductor | Texas Instruments |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 mA @ 100 V | 17 mA @ 300 V | 100 nA @ 175 V | 100 nA @ 175 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AC (DO-30) | DO-205AC (DO-30) | DO-35 (DO-204AH) | DO-35 |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Through Hole | Through Hole |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AC, DO-30, Stud | DO-205AC, DO-30, Stud | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | 175°C (Max) | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 150A | 150A | 500mA | 100mA |
| ชุด | - | - | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | 5pF @ 0V, 1MHz | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3085 | 1N3087 | - | - |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 150 A | 1.2 V @ 150 A | 1 V @ 100 mA | 1 V @ 100 mA |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 300 V | 200 V | 200 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3085 PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ 1N3085 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1N3086IRIGBT Module1N3088IRIGBT Module1N3087RVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 300V 150A DO205AC1N3086RIRIGBT Module1N3070Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 500MA DO351N3070Texas InstrumentsDIODE GEN PURP 200V 100MA DO351N3046MOTO
1N3070Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 175V 100MA DO7
1N3042BSolid State Inc.1 WATT ZENER DIODE D0-13
1N3087RMicrochip TechnologySTD RECTIFIER1N3088RIRIGBT Module1N3089IRIGBT Module
1N3070TRonsemiDIODE GEN PURP 200V 500MA DO351N3070onsemiDIODE GEN PURP 200V 500MA DO351N3064TRonsemiDIODE GEN PURP 75V 300MA DO351N3045A1N3045BSolid State Inc.1 WATT ZENER DIODE D0-131N3087Microchip TechnologySTD RECTIFIER| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที