ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4151TR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - 1N4151TR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - 1N4151TR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 50 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 75 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 nA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 150mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor 1N4151TR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4151TR | 1N4151TR | 1N4151 | 1N4249 |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | onsemi | Microchip Technology | NTE Electronics, Inc |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | DO-35 | DO-35 | Axial |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 nA @ 50 V | 50 nA @ 50 V | 50 nA @ 50 V | 1 µA @ 1000 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | 175°C (Max) | -65°C ~ 150°C | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | Axial |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 75 V | 75 V | 75 V | 1000 V |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns | 4 ns | 2 ns | 2 µs |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 50 mA | 1 V @ 50 mA | 1 V @ 50 mA | 1.2 V @ 1 A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 150mA | 150mA | 200mA | 1A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bag |
| ชุด | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
1N4248-E3/54Electro-Films (EFI) / Vishay1N4151TRonsemiDIODE GEN PURP 75V 150MA DO351N4151Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 75V 200MA DO351N4249NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
1N4249Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
1N4150UR-1Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA1N4150WMSV
1N4151TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 75V 150MA DO351N4151Diotec SemiconductorDIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
1N4151W-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 50V 150MA SOD1231N4247NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL1N4151onsemiDIODE GEN PURP 75V 150MA DO351N415TRElectro-Films (EFI) / Vishay1N4151WPANJIT1N4247Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL1N4151NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 75V 150MA DO351N4150TRonsemiDIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
1N4151Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 75V 150MA DO35| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที