ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4247
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N4247 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N4247
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | A, Axial | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 5 µs |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | A, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N4247 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N4247
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4247 | 1N4151W-E3-08 | 1N4151TR | 1N4249 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | NTE Electronics, Inc |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 600 V | 50 nA @ 50 V | 50 nA @ 50 V | 1 µA @ 1000 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 5 µs | 4 ns | 4 ns | 2 µs |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 3 A | 1 V @ 50 mA | 1 V @ 50 mA | 1.2 V @ 1 A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N4247 | 1N4151 | 1N4151 | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 50 V | 75 V | 1000 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bag |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | A, Axial | SOD-123 | DO-35 (DO-204AH) | Axial |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 150mA | 150mA | 1A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | 175°C (Max) | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | 2pF @ 0V, 1MHz | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | A, Axial | SOD-123 | DO-204AH, DO-35, Axial | Axial |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N4247 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N4247 - Microchip Technology
1N4151W-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 50V 150MA SOD1231N4151WPANJIT1N4151TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 75V 150MA DO351N4249NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
1N415TRElectro-Films (EFI) / Vishay
1N4438FSMicrochip TechnologySTD RECTIFIER
1N4151TRFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 75V 150MA DO351N4247NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL1N4436FSMicrochip TechnologySINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIER1N4249Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL1N4437FSMicrochip TechnologySTD RECTIFIER1N4151NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
1N4151TRonsemiDIODE GEN PURP 75V 150MA DO351N4248-E3/54Electro-Films (EFI) / Vishay1N4437FTMicrochip TechnologySINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIER1N4436FTMicrochip TechnologySTD RECTIFIER
1N4222MicrosemiIGBT Module1N4404NJS| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที