ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FFD04H60S
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - FFD04H60S คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - FFD04H60S
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.1 V @ 4 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252, (D-Pak) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 60 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 4A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor FFD04H60S
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FFD04H60S | FFD20UP20S | RB521S30_R1_00001 | FFD06UP20S |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | onsemi | Panjit International Inc. | onsemi |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 4A | 20A | 200mA | 6A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | SC-79, SOD-523 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ชุด | - | - | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252, (D-Pak) | TO-252AA | SOD-523 | TO-252AA |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 60 ns | 45 ns | - | 35 ns |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 200 V | 30 V | 200 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 125°C | -65°C ~ 150°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.1 V @ 4 A | 1.15 V @ 20 A | 500 mV @ 200 mA | 1.15 V @ 6 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 600 V | 100 µA @ 200 V | 100 µA @ 30 V | 100 µA @ 200 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Schottky | Standard |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
FFD20UP20SonsemiDIODE GEN PURP 200V 20A TO252AARB521S30_R1_00001Panjit International Inc.DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523
FFD10U30Fairchild (onsemi)FFD06UP20SonsemiDIODE GEN PURP 200V 6A TO252AA
1N4935RLGonsemiDIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
1N3620RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 16A DO4FFD10UP20SonsemiDIODE GEN PURP 200V 10A TO252AA
1N2135ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 70A DO51N6097Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 30V 50A DO5
IDB15E60Infineon TechnologiesDIODE GP 600V 29.2A TO263-3-2
SK12-13Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 20V 1A SMBFFD06UP20S MOSFairchild (onsemi)FFD04H60SonsemiDIODE GEN PURP 600V 4A TO252AAFFD08S60SFairchild Semiconductor600V, 8A, 2.1V, DPAK STEALTH IIFFD08S60S-F085onsemiDIODE GEN PURP 600V 8A TO252AAFFD08S60S-F085Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 8A TO252
FFD08S60S_F085AMI Semiconductor/onsemi
20ETS12SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที