ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FMM7G30US60N
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - FMM7G30US60N คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - FMM7G30US60N
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 30A | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 104 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Module | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| กทช Thermistor | Yes | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 2.1 nF @ 30 V | |
| อินพุต | Three Phase Bridge Rectifier | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 250 µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 30 A | |
| องค์ประกอบ | Three Phase Inverter with Brake |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor FMM7G30US60N
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FMM7G30US60N | FMM7G50US60N | FMM7G20US60I | FMM7G30US60I |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| ชุด | - | - | - | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 30A | 2.7V @ 15V, 50A | 2.7V @ 15V, 20A | 2.7V @ 15V, 30A |
| กทช Thermistor | Yes | Yes | Yes | Yes |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| อินพุต | Three Phase Bridge Rectifier | Three Phase Bridge Rectifier | Three Phase Bridge Rectifier | Three Phase Bridge Rectifier |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 30 A | 50 A | 20 A | 30 A |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 104 W | 139 W | 89 W | 104 W |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 250 µA | 250 µA | 250 µA | 250 µA |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Module | Module | Module | Module |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 2.1 nF @ 30 V | 3.565 nF @ 30 V | 1.277 nF @ 30 V | 2.1 nF @ 30 V |
| ประเภท IGBT | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| องค์ประกอบ | Three Phase Inverter with Brake | Three Phase Inverter with Brake | Three Phase Inverter with Brake | Three Phase Inverter with Brake |
FMMD2837TAPBFZETEXFMM7G15US120Fairchild (onsemi)IGBT ModuleFMM7G30US60SIFairchild (onsemi)IGBT ModuleFMMD6050TAZETEXFMMD6050ATADIODES/ZETEXFMMD7000ZETEXFMM7G50US60NFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFMM7G50US601Fairchild (onsemi)IGBT Module
FMM5822VUTFujitsu Electronics America, Inc.FMM7G20US60IFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFMM7G20US60Fairchild (onsemi)IGBT Module
FMM65-015PIXYSMOSFET 2N-CH 150V 65A I4-PAC-5FMM75-01FIXYSMOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5FMM7G30US60IFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFMM640D0B-12IARFIDELIXFMM5822VUEudynaFMM7G30US60SNFairchild (onsemi)IGBT ModuleFMM7G50US60IFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที