ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HGT1S2N120CN
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - HGT1S2N120CN คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - HGT1S2N120CN
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.4V @ 15V, 2.6A | |
| ทดสอบสภาพ | 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 25ns/205ns | |
| การสลับพลังงาน | 96µJ (on), 355µJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-262 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 104 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | NPT | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 30 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 20 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 13 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor HGT1S2N120CN
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | HGT1S2N120CN | HGT1S14N36G3VLT | HGT1S20N60A4S9A | HGT1S3N60A4DS9A |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-262 | I2PAK (TO-262) | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Logic | Standard | Standard |
| การสลับพลังงาน | 96µJ (on), 355µJ (off) | - | 105µJ (on), 150µJ (off) | 37µJ (on), 25µJ (off) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | 390 V | 600 V | 600 V |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.4V @ 15V, 2.6A | 2.2V @ 5V, 14A | 2.7V @ 15V, 20A | 2.7V @ 15V, 3A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 20 A | - | 280 A | 40 A |
| ประเภท IGBT | NPT | - | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 104 W | 100 W | 290 W | 70 W |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 13 A | 18 A | 70 A | 17 A |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 25ns/205ns | -/7µs | 15ns/73ns | 6ns/73ns |
| ทดสอบสภาพ | 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V | 300V, 7A, 25Ohm, 5V | 390V, 20A, 3Ohm, 15V | 390V, 3A, 50Ohm, 15V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 30 nC | 24 nC | 142 nC | 21 nC |
HGT1S14N36G3VLTFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBT
HGT1S3N60C3DS9AIntersil (Renesas Electronics Corporation)HGT1S20N36G3VLSR4737INTERSIL/FAIRCHILDHGT1S20N60A4S9AonsemiIGBT 600V 70A 290W TO263ABHGT1S3N60A4DS9AonsemiIGBT 600V 17A 70W D2PAKHGT1S14N40G3VLSFairchild (onsemi)HGT1S3N60A4DS9AFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGT1S7N60A4DSFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGT1S7N60A4DSonsemiIGBT 600V 34A 125W TO263ABHGT1S20N36G3VLSFairchild SemiconductorIGBT, 37.7A, 355V, N-CHANNELHGT1S20N60C3SFairchild (onsemi)HGT1S20N60C3RHarris Corporation40A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBTHGT1S14N41G3VLS9AFairchild (onsemi)HGT1S14N40F3VLSFSC
HGT1S2N120CNonsemiIGBT 1200V 13A 104W I2PAKHGT1S3N60B3DSHarris Corporation7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBTHGT1S14N41G3VLSR4874Fairchild (onsemi)HGT1S3N60A4DSFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที