ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HGT1S20N60C3R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Harris Corporation - HGT1S20N60C3R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Harris Corporation - HGT1S20N60C3R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.2V @ 15V, 20A | |
| ทดสอบสภาพ | - | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | - | |
| การสลับพลังงาน | - | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | I2PAK (TO-262) | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 164 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 116 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 80 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 40 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Harris Corporation HGT1S20N60C3R
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | HGT1S20N60C3R | HGT1S2N120CN | HGT1S3N60A4DS9A | HGT1S3N60A4DS9A |
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 80 A | 20 A | 40 A | 40 A |
| ทดสอบสภาพ | - | 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V | 390V, 3A, 50Ohm, 15V | 390V, 3A, 50Ohm, 15V |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 40 A | 13 A | 17 A | 17 A |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 164 W | 104 W | 70 W | 70 W |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | - | 25ns/205ns | 6ns/73ns | 6ns/73ns |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.2V @ 15V, 20A | 2.4V @ 15V, 2.6A | 2.7V @ 15V, 3A | 2.7V @ 15V, 3A |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ประเภท IGBT | - | NPT | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | I2PAK (TO-262) | TO-262 | D2PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 1200 V | 600 V | 600 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| การสลับพลังงาน | - | 96µJ (on), 355µJ (off) | 37µJ (on), 25µJ (off) | 37µJ (on), 25µJ (off) |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 116 nC | 30 nC | 21 nC | 21 nC |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
HGT1S2N120CNonsemiIGBT 1200V 13A 104W I2PAKHGT1S3N60A4DS9AFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGT1S14N36G3VLFairchild (onsemi)
HGT1S3N60C3DS9AIntersil (Renesas Electronics Corporation)HGT1S3N60A4DS9AonsemiIGBT 600V 17A 70W D2PAKHGT1S3N60B3DSHarris Corporation7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBTHGT1S14N41G3VLSR4874Fairchild (onsemi)HGT1S20N60C3SFairchild (onsemi)HGT1S20N36G3VLSFairchild SemiconductorIGBT, 37.7A, 355V, N-CHANNELHGT1S3N60A4DSFairchild (onsemi)HGT1S14N41G3VLS9AFairchild (onsemi)HGT1S14N40G3VLSFairchild (onsemi)HGT1S2N120CNFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGT1S14N40F3VLSFSCHGT1S20N60A4S9AonsemiIGBT 600V 70A 290W TO263ABHGT1S14N36G3VLTFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGT1S14N36G3VLTonsemiIGBT 390V 18A 100W TO262AAHGT1S20N36G3VLSR4737INTERSIL/FAIRCHILD| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที