ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR2535CT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - MBR2535CT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - MBR2535CT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 820 mV @ 25 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 35 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 µA @ 35 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 25A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR2535 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor MBR2535CT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR2535CT | MBR25100CT | MBR2535CTL | MBR2535CT |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | Taiwan Semiconductor Corporation | SMC Diode Solutions | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 820 mV @ 25 A | 920 mV @ 25 A | 470 mV @ 12.5 A | 820 mV @ 30 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR2535 | MBR25100 | MBR2535 | MBR2535 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 µA @ 35 V | 100 µA @ 100 V | 1 mA @ 35 V | 200 µA @ 35 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | TO-220AB | TO-220AB | TO-220-3 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 25A | 25A | - | 15A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 35 V | 100 V | 35 V | 35 V |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
MBR25100CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220MBR25200FCTPANJITMBR2535CTLSMC Diode SolutionsDIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO220ABMBR2535CTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO220AB
MBR2515LGonsemiDIODE SCHOTTKY 15V 25A TO220-2
MBR2535CTDiodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO220ABMBR2535MOTOROLAIGBT ModuleMBR2530MOTOROLAIGBT ModuleMBR2520MOTOROLAIGBT ModuleMBR2525CTVIS
MBR2535CTonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO220ABMBR25060VMOTOROLAIGBT ModuleMBR2535CTLonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO220ABMBR2535CTSolid State Inc.30 AMP SCHOTTKY T0200ABMBR2535CTLGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO220ABMBR25100FCTMBR2535CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO220ABMBR2535GAMI Semiconductor/onsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที