ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR2535CT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MBR2535CT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MBR2535CT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 820 mV @ 30 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 35 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 µA @ 35 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 15A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR2535 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR2535CT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR2535CT | MBR2535CT | MBR2535CTLG | MBR2535CT |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi | onsemi | Diodes Incorporated |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 µA @ 35 V | 200 µA @ 35 V | 5 mA @ 35 V | 200 µA @ 35 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 15A | 30A | 12.5A | 30A |
| ชุด | - | SWITCHMODE™ | SWITCHMODE™ | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 820 mV @ 30 A | 820 mV @ 30 A | 470 mV @ 12.5 A | 820 mV @ 30 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 35 V | 35 V | 35 V | 35 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR2535 | MBR2535 | MBR2535 | MBR2535 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | TO-220 | TO-220 | TO-220-3 |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR2535CT PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ MBR2535CT - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
MBR25200FCTPANJIT
MBR2535LGAMI Semiconductor/onsemiMBR2535CTonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO220ABMBR2535CTLGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO220ABMBR2535CTDiodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO220ABMBR2535MOTOROLAIGBT Module
MBR2540CTMicro Commercial Components (MCC)MBR2515LGonsemiDIODE SCHOTTKY 15V 25A TO220-2MBR2535CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO220ABMBR2535CTLonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO220ABMBR2545LTMBR2535GAMI Semiconductor/onsemiMBR2525CTVIS
MBR2535CTLSMC Diode SolutionsDIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO220ABMBR2535LAMI Semiconductor/onsemi
MBR2535CTFairchild SemiconductorRECTIFIER, SCHOTTKY, 1 PHASE, 2MBR2535CTSolid State Inc.30 AMP SCHOTTKY T0200ABMBR2520MOTOROLAIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที