ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBRD660CTG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - MBRD660CTG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - MBRD660CTG
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 700 mV @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DPAK | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | SWITCHMODE™ |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 60 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 3A |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | |
| เข้าถึงสถานะ | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor MBRD660CTG
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBRD660CTG | MBRD660CTRLG | MBRD660CT | MBRD660CT |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | SMC Diode Solutions |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 700 mV @ 3 A | 700 mV @ 3 A | 700 mV @ 3 A | 700 mV @ 3 A |
| ชุด | SWITCHMODE™ | SWITCHMODE™ | - | - |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -40°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DPAK | DPAK | D-PAK (TO-252AA) | DPAK |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 60 V | 100 µA @ 60 V | 100 µA @ 60 V | 100 µA @ 60 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 3A | 3A | 3A | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
MBRD660CTRLGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAKMBRD660CTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAK
MBRD660ONsemiMBRD660CTSMC Diode SolutionsDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V DPAK
MBRD660CT-TPMicro Commercial CoDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 6A DPAK
MBRD660CT MOSElectro-Films (EFI) / VishayMBRD6U60CT-RTF/HKECMBRD660CTT4GonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAKMBRD660LT1GAMI Semiconductor/onsemiMBRD660CTPBFElectro-Films (EFI) / VishayMBRD660LT4GAMI Semiconductor/onsemiMBRD650TAMI Semiconductor/onsemiMBRD650LT4GAMI Semiconductor/onsemiMBRD660CTT4G B660TGAMI Semiconductor/onsemiMBRD660CTonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAKMBRD660CTT4onsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A DPAKMBRD660CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAKMBRD835SMC Diode SolutionsDIODE SCHOTTKY 35V DPAK| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที