ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MRFE6VP6600NR3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ NXP USA Inc. - MRFE6VP6600NR3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ NXP USA Inc. - MRFE6VP6600NR3
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | NXP Semiconductors | |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ | 50 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม | 133 V | |
| เทคโนโลยี | LDMOS | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | OM-780-4L | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท | 600W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | OM-780-4L | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| เสียงรบกวนเต็มตัว | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ได้รับ | 24.7dB | |
| ความถี่ | 230MHz | |
| คะแนนปัจจุบัน (แอมป์) | - | |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ | 100 mA | |
| องค์ประกอบ | Dual | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MRFE6 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ NXP USA Inc. MRFE6VP6600NR3
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MRFE6VP6600NR3 | MRFE6VS25GNR1 | MRFE6VS25NR1 | MRFE6VS25LR5 |
| ผู้ผลิต | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ | 100 mA | 10 mA | 10 mA | 10 mA |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท | 600W | 25W | 25W | 25W |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | OM-780-4L | TO-270-2 GULL | TO-270-2 | NI-360 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MRFE6 | MRFE6 | MRFE6 | MRFE6 |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ | 50 V | 50 V | 50 V | 50 V |
| เทคโนโลยี | LDMOS | LDMOS | LDMOS | LDMOS |
| คะแนนปัจจุบัน (แอมป์) | - | - | - | - |
| เสียงรบกวนเต็มตัว | - | - | - | - |
| ได้รับ | 24.7dB | 25.4dB | 25.4dB | 25.9dB |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Chassis Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม | 133 V | 133 V | 133 V | 133 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| องค์ประกอบ | Dual | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | OM-780-4L | TO-270BA | TO-270AA | NI-360 |
| ความถี่ | 230MHz | 512MHz | 512MHz | 512MHz |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MRFE6VP6600NR3 PDF และเอกสาร NXP USA Inc. สำหรับ MRFE6VP6600NR3 - NXP USA Inc.
MRFE6VS25GNR1NXP USA Inc.RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2 GULLMRFE6VS25NR1NXP USA Inc.FET RF 133V 512MHZ TO270-2MRFE6VS25LR5NXP USA Inc.FET RF 133V 512MHZ NI360L
MRFG35003ANT1Freescale SemiconductorRF C BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-CMRFE6VP8600HR5NXP USA Inc.FET RF 2CH 130V 860MHZ NI-1230MRFE6VP61K25HR6NXP USA Inc.FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
MRFE6VP61K25HFreescalMRFE6VP6300HR5NXP USA Inc.FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4MRFE6VP6600NR3Freescale SemiconductorRF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRAMRFE6VS25GNR1Freescale SemiconductorRF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORMRFE6VP5600HSR5NXP USA Inc.FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230SMRFE6VP6300HR3NXP USA Inc.FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4MRFE6VP61K25GSFreescalMRFE6VP6600NFreescale / NXP SemiconductorsMRFF002G3K00-01RMRFE6VS25GNFreescale / NXP SemiconductorsMRFE6VP61K25HSR5NXP USA Inc.FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230SMRFE6VP61K25HR5NXP USA Inc.FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที