ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MRFE6VS25LR5
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ NXP USA Inc. - MRFE6VS25LR5 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ NXP USA Inc. - MRFE6VS25LR5
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | NXP Semiconductors | |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ | 50 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม | 133 V | |
| เทคโนโลยี | LDMOS | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | NI-360 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท | 25W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | NI-360 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| เสียงรบกวนเต็มตัว | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| ได้รับ | 25.9dB | |
| ความถี่ | 512MHz | |
| คะแนนปัจจุบัน (แอมป์) | - | |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ | 10 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MRFE6 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ NXP USA Inc. MRFE6VS25LR5
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MRFE6VS25LR5 | MRFE6VP6300HR5 | MRFE6VS25GNR1 | MRFG35005MT1 |
| ผู้ผลิต | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MRFE6 | MRFE6 | MRFE6 | MRFG35 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | NI-360 | NI-780-4 | TO-270-2 GULL | PLD-1.5 |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ | 50 V | 50 V | 50 V | 12 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ความถี่ | 512MHz | 230MHz | 512MHz | 3.55GHz |
| เทคโนโลยี | LDMOS | LDMOS | LDMOS | pHEMT FET |
| เสียงรบกวนเต็มตัว | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ | 10 mA | 100 mA | 10 mA | 80 mA |
| ได้รับ | 25.9dB | 26.5dB | 25.4dB | 11dB |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | NI-360 | NI-780-4 | TO-270BA | PLD-1.5 |
| คะแนนปัจจุบัน (แอมป์) | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม | 133 V | 130 V | 133 V | 15 V |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท | 25W | 300W | 25W | 4.5W |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MRFE6VS25LR5 PDF และเอกสาร NXP USA Inc. สำหรับ MRFE6VS25LR5 - NXP USA Inc.
MRFE6VP6300HR5NXP USA Inc.FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4MRFE6VP6600NFreescale / NXP SemiconductorsMRFE6VS25GNR1NXP USA Inc.RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2 GULLMRFG35005MT1NXP USA Inc.FET RF 15V 3.55GHZ 1.5PLDMRFG35003N6AT1NXP USA Inc.FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5MRFG35010AFreescale / NXP Semiconductors
MRFE6VS25GNR1Freescale SemiconductorRF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORMRFE6VS25GNFreescale / NXP SemiconductorsMRFF002G3K00-01RMRFE6VP6600NR3Freescale SemiconductorRF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRAMRFE6VP8600HR5NXP USA Inc.FET RF 2CH 130V 860MHZ NI-1230MRFG35010NXP USA Inc.FET RF 15V 3.55GHZ NI360HFMRFG35003ANT1Freescale SemiconductorRF C BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-CMRFG35003N6T1Freescale SemiconductorRF S BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C
MRFE6VP6600NR3NXP USA Inc.RF MOSFET LDMOS DL 50V OM780-4MRFG35003ANT1NXP USA Inc.FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5MRFG35003N6T1NXP USA Inc.FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLDMRFE6VS25NR1NXP USA Inc.FET RF 133V 512MHZ TO270-2| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที