ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MRFG35005MT1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ NXP USA Inc. - MRFG35005MT1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ NXP USA Inc. - MRFG35005MT1
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | NXP Semiconductors | |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ | 12 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม | 15 V | |
| เทคโนโลยี | pHEMT FET | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PLD-1.5 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท | 4.5W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | PLD-1.5 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| เสียงรบกวนเต็มตัว | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ได้รับ | 11dB | |
| ความถี่ | 3.55GHz | |
| คะแนนปัจจุบัน (แอมป์) | - | |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ | 80 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MRFG35 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ NXP USA Inc. MRFG35005MT1
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MRFG35005MT1 | MRFE6VS25LR5 | MRFG35003ANT1 | MRFE6VS25NR1 |
| ผู้ผลิต | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. |
| เสียงรบกวนเต็มตัว | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | pHEMT FET | LDMOS | pHEMT FET | LDMOS |
| ชุด | - | - | - | - |
| ความถี่ | 3.55GHz | 512MHz | 3.55GHz | 512MHz |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Chassis Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PLD-1.5 | NI-360 | PLD-1.5 | TO-270-2 |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม | 15 V | 133 V | 15 V | 133 V |
| คะแนนปัจจุบัน (แอมป์) | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MRFG35 | MRFE6 | MRFG35 | MRFE6 |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท | 4.5W | 25W | 3W | 25W |
| ได้รับ | 11dB | 25.9dB | 10.8dB | 25.4dB |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | PLD-1.5 | NI-360 | PLD-1.5 | TO-270AA |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ | 80 mA | 10 mA | 55 mA | 10 mA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ | 12 V | 50 V | 12 V | 50 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MRFG35005MT1 PDF และเอกสาร NXP USA Inc. สำหรับ MRFG35005MT1 - NXP USA Inc.
MRFG35010MR5Freescale SemiconductorJFET 3-PINMRFE6VS25LR5NXP USA Inc.FET RF 133V 512MHZ NI360LMRFG35003ANT1NXP USA Inc.FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5MRFE6VS25NR1NXP USA Inc.FET RF 133V 512MHZ TO270-2MRFG35010NT1Freescale SemiconductorRF S BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-CMRFG35010NXP USA Inc.FET RF 15V 3.55GHZ NI360HFMRFE6VS25GNR1NXP USA Inc.RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2 GULLMRFG35010NT1NXP USA Inc.FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLDMRFG35010MT1NXP USA Inc.FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLDMRFG35003N6T1NXP USA Inc.FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLDMRFE6VS25GNR1Freescale SemiconductorRF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORMRFG35010ANT1NXP USA Inc.FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5MRFG35010R1NXP USA Inc.FET RF 15V 3.55GHZ NI360HFMRFG35003N6T1Freescale SemiconductorRF S BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-CMRFG35003ANT1Freescale SemiconductorRF C BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-CMRFG35020AR1NXP USA Inc.FET RF 15V 3.5GHZ NI-360MRFG35010AR1NXP USA Inc.FET RF 15V 3.55GHZ NI360HFMRFG35003N6AT1NXP USA Inc.FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที