ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N1186A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - 1N1186A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - 1N1186A
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 40 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | |
| ความเร็ว | - | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 190°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 40A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N1186 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor 1N1186A
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N1186A | 1N1186R | 1N1185A | 1N1187 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | Solid State Inc. | Microchip Technology | GeneSiC Semiconductor |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 40 A | 1.19 V @ 90 A | 1.19 V @ 90 A | 1.2 V @ 35 A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N1186 | - | 1N1185 | 1N1187 |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 190°C |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Chassis, Stud Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 200 V | 150 V | 300 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 40A | 40A | 40A | 35A |
| ความเร็ว | - | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 150 V | 10 µA @ 50 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | DO-5 | DO-203AB (DO-5) | DO-5 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Box | Bulk | Bulk |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N1186A PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ 1N1186A - GeneSiC Semiconductor
1N1186RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO51N1185AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1187GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 300V 35A DO51N1185Solid State Inc.DIODE GEN PURP 12A DO41N1186ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 12A DO41N1186ARGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 200V 40A DO51N1186AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1186ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1186RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1186RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 200V 35A DO51N1185ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 12A DO41N1185Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1187Solid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 40A DO51N1186RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 12A DO41N1186CIRIGBT Module1N1186GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 35A DO51N1186Solid State Inc.DIODE GEN PURP 12A DO41N1186Microchip TechnologyDIODE GEN PURP REV 200V 35A DO5| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที