ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N1186
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - 1N1186 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - 1N1186
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 35 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 190°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N1186 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor 1N1186
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N1186 | 1N1186AR | 1N1186 | 1N1185 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | Microchip Technology | Microchip Technology |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 35 A | 1.1 V @ 40 A | 1.4 V @ 110 A | 1.19 V @ 90 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35A | 40A | 35A | 40A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | DO-5 | DO-5 (DO-203AB) | DO-203AB (DO-5) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 200 V | 200 V | 150 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 150 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 200°C |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N1186 | 1N1186AR | - | 1N1185 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N1186 PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ 1N1186 - GeneSiC Semiconductor
1N1186ARGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 200V 40A DO51N1186Microchip TechnologyDIODE GEN PURP REV 200V 35A DO51N1186CIRIGBT Module1N1185Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER
1N1186Solid State Inc.DIODE GEN PURP 12A DO41N1185Solid State Inc.DIODE GEN PURP 12A DO41N1186ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 12A DO41N1185AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1186RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 200V 35A DO51N1184RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 100V 35A DO51N1186RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO51N1184RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 12A DO41N1184RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 12A DO41N1186AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 40A DO51N1186RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1185ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 12A DO41N1186AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1186ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที