ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N1202A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - 1N1202A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - 1N1202A
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 12 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 12A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N1202 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor 1N1202A
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N1202A | 1N1202AR | 1N1202BR | 1N1201R |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 12 A | 1.35 V @ 38 A | 1.2 V @ 30 A | 1.2 V @ 30 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 12A | 12A | 12A | 12A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N1202 | 1N1202 | 1N1202 | 1N1201 |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 200 V | 200 V | 150 V |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | 5 µA @ 200 V | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 150 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | DO-203AA (DO-4) | DO-4 (DO-203AA) | DO-4 (DO-203AA) |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N1202A PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ 1N1202A - GeneSiC Semiconductor
1N1202ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1202BRMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1201RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER
1N1202Solid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 12A DO41N1202RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1201RBSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 150V 12A DO41N1201RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 150V 12A DO4
1N1202ARGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 200V 12A DO51N1202Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1202CMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1201BSolid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 12A DO41N1202AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA1N1202BSolid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 12A DO41N1201CMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1202RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO41N1201RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 150V 12A DO41N1201BRMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1202BMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที