ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N1202B
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N1202B คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N1202B
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 30 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 (DO-203AA) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 12A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N1202 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N1202B
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N1202B | 1N1202RA | 1N1202C | 1N1202 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Solid State Inc. | Microchip Technology | Microchip Technology |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 30 A | 1.2 V @ 30 A | 1.1 V @ 30 A | 1.2 V @ 30 A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Box | Bulk | Bulk |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 (DO-203AA) | DO-4 | DO-4 (DO-203AA) | DO-4 (DO-203AA) |
| ชุด | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 200 V | 200 V | 200 V |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 12A | 12A | 25A | 12A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 200 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N1202 | - | 1N1202 | 1N1202 |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N1202B PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N1202B - Microchip Technology
1N1202RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO41N1202CMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1202Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1202BRMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1203Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1202BSolid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 12A DO41N1202RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO41N1201RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 150V 12A DO41N1203Solid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 12A DO41N1202RBSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO41N1202Solid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 12A DO41N1201RBSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 150V 12A DO41N1202AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
1N1202AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 12A DO41N1203AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1202ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1202ARGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 200V 12A DO51N1202RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที