ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3212R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - 1N3212R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - 1N3212R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 15 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 15A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3212R |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor 1N3212R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3212R | 1N3213 | 1N3213R | 1N3211R |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | Solid State Inc. | GeneSiC Semiconductor |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | 500 V | 500 V | 300 V |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 500 V | 10 µA @ 50 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 15 A | 1.5 V @ 15 A | 1.19 V @ 90 A | 1.5 V @ 15 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Box | Bulk |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 175°C |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3212R | 1N3213 | - | 1N3211R |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Chassis, Stud Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | DO-5 | DO-5 | DO-5 |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 15A | 15A | 40A | 15A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3212R PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ 1N3212R - GeneSiC Semiconductor
1N3213GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 500V 15A DO51N3213RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 500V 40A DO51N3211RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 300V 15A DO5
1N3212RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3212GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 15A DO51N3213RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 500V 15A DO51N3212RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO51N3214Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3213Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3211Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3211Solid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 40A DO51N3212Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3211RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3213RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3212Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 40A DO51N3211GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 300V 15A DO51N3211RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 300V 40A DO51N3213Solid State Inc.DIODE GEN PURP 500V 40A DO5| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที