ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี DB106G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - DB106G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - DB106G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 800 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 1 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DB | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-EDIP (0.321', 8.15mm) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 800 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DB106 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor DB106G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | DB106G | DB106-G | DB107G | DB107-BP |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | Comchip Technology | GeneSiC Semiconductor | Micro Commercial Co |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DB106 | DB106 | DB107 | DB107 |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 800 V | 800 V | 1 kV | 1 kV |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-EDIP (0.321', 8.15mm) | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) | 4-EDIP (0.321', 8.15mm) |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Tube |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1 A | 1 A | 1 A | 1 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DB | DB | DB | DB-1 |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 800 V | 10 µA @ 800 V | 10 µA @ 1000 V | 10 µA @ 1000 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล DB106G PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ DB106G - GeneSiC Semiconductor
DB106-GComchip TechnologyBRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DBDB107GGeneSiC SemiconductorBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DBDB105LS-TRectron USADB107-BPMicro Commercial CoBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB-1DB107 50/G
DB107SYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 1000V 1A DBS
DB106SRectron USABRIDGE RECT 800V 1A DB-SDB105S-TRectron USADB105S-TGWILLAS
DB105SYangjie TechnologyDBS 600V 1.0A Diodes Bridge ReDB106SYangjie TechnologyDBS 800V 1.0A Diodes Bridge Re
DB105G C1Taiwan SemiconductorDB105GGeneSiC SemiconductorBRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB
DB106S-47L-2Diodes IncorporatedDB105SSMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB-S
DB105SRectron USABRIDGE RECT 600V 1A DB-SDB107GSDBDB106SSMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB-S| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที