ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี DB105S
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rectron USA - DB105S คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rectron USA - DB105S
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Rectron USA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 600 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 1 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DB-S | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SMD, Gull Wing |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rectron USA DB105S
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | DB105S | DB106G | DB105G | DB106S |
| ผู้ผลิต | Rectron USA | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | SMC Diode Solutions |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1 A | 1 A | 1 A | 1 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 600 V | 800 V | 600 V | 800 V |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 600 V | 10 µA @ 800 V | 10 µA @ 600 V | 5 µA @ 800 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DB-S | DB | DB | DB-S |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SMD, Gull Wing | 4-EDIP (0.321', 8.15mm) | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) | 4-SMD, Gull Wing |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล DB105S PDF และเอกสาร Rectron USA สำหรับ DB105S - Rectron USA
DB106GGeneSiC SemiconductorBRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB
DB105G C1Taiwan SemiconductorDB105GGeneSiC SemiconductorBRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB
DB105S-TRectron USADB106SSMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB-S
DB106SRectron USABRIDGE RECT 800V 1A DB-SDB105LS-TRectron USADB104S-TRectron USA
DB106SYangjie TechnologyDBS 800V 1.0A Diodes Bridge ReDB104S-T-WSRectron USADB105SYangjie TechnologyDBS 600V 1.0A Diodes Bridge ReDB104SRectron USABRIDGE RECT 400V 1A DB-SDB104SSMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DB-S
DB106-GComchip TechnologyBRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DBDB105S-TGWILLASDB105SSMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB-S
DB106S-47L-2Diodes Incorporated
DB104SMDDBRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DBS| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที