ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี KBP210G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - KBP210G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - KBP210G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1 kV | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 2 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | KBP | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, KBP |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | KBP210 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor KBP210G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | KBP210G | KBP306 | KBP210G | KBP210 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Diotec Semiconductor | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -50°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | KBP | KBP | KBP | KBP |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2 A | 3 A | 1.2 A | 2 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1 kV | 600 V | 1 kV | 1 kV |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Box | Box | Box |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | KBP210 | - | KBP210 | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, KBP | 4-SIP, KBP | 4-SIP, KBP | 4-SIP, KBP |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 1000 V | 10 µA @ 600 V | 5 µA @ 1000 V | 10 µA @ 1000 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 2 A | 1.05 V @ 1.5 A | 1.1 V @ 2 A | 1.05 V @ 1 A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล KBP210G PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ KBP210G - GeneSiC Semiconductor
KBP306Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 600V 3A KBPKBP210GDiotec Semiconductor1PH BRIDGE KBP 1000V 2A
KBP2640LUMILEDS
KBP3010_B0_10001PANJIT
KBP208GLLITEONKBP210Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 1000V 2A KBPKBP210G_HFLITEON
KBP306GSMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A KBP
KBP305GTaiwan SemiconductorKBP3010_B0_10001-PECPANJITKBP210EIC SEMICONDUCTOR INC.STD 2A, CASE TYPE: KBPKBP208_B0_10001PANJITKBP208GL-TULITEONKBP306GDiotec Semiconductor1PH BRIDGE KBP 600V 3A
KBP210GDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A KBP
KBP210G-BPMicro Commercial CoBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A GBPKBP210GSMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A KBPKBP306GDiodes IncorporatedBRIDGE RECTIFIER KBP TUBE 35PCS| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที