ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR30045CTL
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBR30045CTL คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBR30045CTL
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 600 mV @ 150 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 45 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 mA @ 45 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 150A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBR30045CTL
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR30045CTL | MBR30100CT | MBR30060CT | MBR30020CT |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | Yangjie Technology | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | TO-220AB | Twin Tower | Twin Tower |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 45 V | 100 V | 60 V | 20 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 150A | 30A | 150A | 150A |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Through Hole | Chassis Mount | Chassis Mount |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 mA @ 45 V | 10 µA @ 100 V | 8 mA @ 20 V | 8 mA @ 20 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | TO-220-3 | Twin Tower | Twin Tower |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 600 mV @ 150 A | 850 mV @ 15 A | 750 mV @ 150 A | 650 mV @ 150 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR30045CTL PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBR30045CTL - GeneSiC Semiconductor
MBR30100CTYangjie TechnologyDiodes - Rectifiers - Single TO-MBR30040MOTOROLAIGBT ModuleMBR30060CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 60V 150A 2TOWERMBR30045CT MBRP30045CTMOTOROLAIGBT ModuleMBR30090CTIXFNIGBT ModuleMBR30020CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 20V 150A 2TOWERMBR30030MOTOROLAIGBT ModuleMBR30050MOTOROLAIGBT ModuleMBR30035MOTOROLAIGBT ModuleMBR30030CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 150A 2TOWERMBR30060MITSUBSHIIGBT ModuleMBR30080CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 80V 150A 2TOWERMBR30045CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 45V 150A 2TOWERMBR30035CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 35V 200A 2TOWERMBR30040CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 40V 150A 2TOWER
MBR30100CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220MBR30045MOTOROLAIGBT Module
MBR30100SMC Diode Solutions100V, 30A, TO-220AC, SCHOTTKY RE| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที