ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MUR40005CT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MUR40005CT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MUR40005CT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 125 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 50 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 90 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 200A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MUR40005CT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MUR40005CT | MUR40020CT | MUR40040CT | MUR40010CT |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 125 A | 1.3 V @ 125 A | 1.3 V @ 125 A | 1.3 V @ 125 A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 50 V | 25 µA @ 50 V | 25 µA @ 50 V | 25 µA @ 50 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 90 ns | 90 ns | 150 ns | 90 ns |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 200A | 200A | 200A | 200A |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 50 V | 200 V | 400 V | 100 V |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MUR40005CT PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MUR40005CT - GeneSiC Semiconductor
MUR405RLGAMI Semiconductor/onsemiMUR405GonsemiDIODE GEN PURP 50V 4A AXIAL
MUR360S V7GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
MUR360S R6Taiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 3A DO214ABMUR360RLGAMI Semiconductor/onsemiMUR360S R7GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 3A DO214ABMUR360S R7Taiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 3A DO214ABMUR405onsemiDIODE GEN PURP 50V 4A AXIALMUR40020CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 200V 200A 2TOWERMUR4060PTON/GIMUR360GULFSEMIMUR360STaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 3A DO214ABMUR340AMI Semiconductor/onsemiMUR40040CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 400V 200A 2TOWERMUR40010CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 200A 2TOWERMUR40060CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 600V 200A 2TOWERMUR360SBH R5GTaiwan SemiconductorMUR360T3GDO-201AD| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที