ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MUR40010CT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MUR40010CT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MUR40010CT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 125 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 90 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 200A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MUR40010 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MUR40010CT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MUR40010CT | MUR40020CT | MUR40005CT | MUR40040CT |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 90 ns | 90 ns | 90 ns | 150 ns |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 50 V | 25 µA @ 50 V | 25 µA @ 50 V | 25 µA @ 50 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 200A | 200A | 200A | 200A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MUR40010 | MUR40020 | - | MUR40040 |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 200 V | 50 V | 400 V |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 125 A | 1.3 V @ 125 A | 1.3 V @ 125 A | 1.3 V @ 125 A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MUR40010CT PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MUR40010CT - GeneSiC Semiconductor
MUR360RLGAMI Semiconductor/onsemiMUR40020CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 200V 200A 2TOWERMUR40005CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 50V 200A 2TOWER
MUR360STaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
MUR360S R7Taiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 3A DO214ABMUR360S R7GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 3A DO214ABMUR360S V7GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 3A DO214ABMUR360SBH R5GTaiwan SemiconductorMUR405GonsemiDIODE GEN PURP 50V 4A AXIALMUR360S R6Taiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 3A DO214ABMUR405RLGAMI Semiconductor/onsemiMUR40040CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 400V 200A 2TOWERMUR405onsemiDIODE GEN PURP 50V 4A AXIALMUR360T3GDO-201ADMUR360GULFSEMIMUR410onsemiDIODE GEN PURP 100V 4A AXIALMUR4060PTON/GIMUR40060CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 600V 200A 2TOWER| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที