ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี UFT10010
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - UFT10010 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - UFT10010
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 50 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-249AB | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 60 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-249AB | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 50A |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor UFT10010
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | UFT10010 | UFT20020 | UFT20120 | UFT20140 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 60 ns | 50 ns | 70 ns | 70 ns |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 50 A | 975 mV @ 100 A | 1.25 V @ 100 A | 1.25 V @ 100 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-249AB | Module | Module | Module |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 200 V | 200 V | 400 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 50A | 100A | 100A | 100A |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 100 V | 50 µA @ 200 V | 50 µA @ 200 V | 50 µA @ 400 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | - | - | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-249AB | Module | Module | Module |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Screw Mount | Screw Mount | Screw Mount |
UFT20020Microsemi CorporationDIODE MODULE 200V 100AUFT12640UFTIGBT ModuleUFT12650MSCIGBT ModuleUFT20120Microsemi CorporationDIODE MODULE 200V 100AUFT20150MSCIGBT ModuleUFT12510MSCIGBT ModuleUFT10015MSCIGBT ModuleUFT20260MSCIGBT ModuleUFT20005MSCIGBT ModuleUFT20130MSCIGBT ModuleUFT20010MSCIGBT ModuleUFT12620MSCIGBT ModuleUFT20140Microsemi CorporationDIODE MODULE 400V 100AUFT20270MSCIGBT ModuleUFT20040CTIXFNIGBT ModuleUFT20015MITSUBISHIIGBT ModuleUFT12520Microsemi CorporationDIODE MODULE 200V 60A
UFT10020GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 50A TO249AB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที