ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี UFT10020
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - UFT10020 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - UFT10020
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 50 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-249AB | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 60 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-249AB | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 50A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor UFT10020
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | UFT10020 | UFT12520 | UFT20120 | UFT20020 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 200 V | 30 µA @ 200 V | 50 µA @ 200 V | 50 µA @ 200 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 200 V | 200 V | 200 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-249AB | Module | Module | Module |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 60 ns | 40 ns | 70 ns | 50 ns |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Screw Mount | Screw Mount |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 50 A | 975 mV @ 60 A | 1.25 V @ 100 A | 975 mV @ 100 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-249AB | Module | Module | Module |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 50A | 60A | 100A | 100A |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
UFT12620MSCIGBT ModuleUFT20150MSCIGBT ModuleUFT40010MSCIGBT ModuleUFT12520Microsemi CorporationDIODE MODULE 200V 60AUFT20120Microsemi CorporationDIODE MODULE 200V 100AUFT12640UFTIGBT ModuleUFT20260MSCIGBT ModuleUFT20040CTIXFNIGBT ModuleUFT20020Microsemi CorporationDIODE MODULE 200V 100AUFT20270MSCIGBT Module
UFT10010GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 50A TO249ABUFT20015MITSUBISHIIGBT ModuleUFT20130MSCIGBT ModuleUFT20010MSCIGBT ModuleUFT10015MSCIGBT ModuleUFT20005MSCIGBT ModuleUFT20280MSCIGBT ModuleUFT20140Microsemi CorporationDIODE MODULE 400V 100A| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที