ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี UFT10020
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - UFT10020 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - UFT10020
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 50 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-249AB | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 60 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-249AB | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 50A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor UFT10020
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | UFT10020 | UFT10010 | UFT20120 | UFT12520 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 200 V | 25 µA @ 100 V | 50 µA @ 200 V | 30 µA @ 200 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 100 V | 200 V | 200 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-249AB | TO-249AB | Module | Module |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 60 ns | 60 ns | 70 ns | 40 ns |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Screw Mount | Chassis Mount |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 50 A | 1 V @ 50 A | 1.25 V @ 100 A | 975 mV @ 60 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-249AB | TO-249AB | Module | Module |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 50A | 50A | 100A | 60A |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
UFT12640UFTIGBT ModuleUFT10015MSCIGBT ModuleUFT20260MSCIGBT ModuleUFT10010GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 50A TO249ABUFT20120Microsemi CorporationDIODE MODULE 200V 100AUFT20270MSCIGBT ModuleUFT20040CTIXFNIGBT ModuleUFT20150MSCIGBT ModuleUFT20010MSCIGBT ModuleUFT12520Microsemi CorporationDIODE MODULE 200V 60AUFT20020Microsemi CorporationDIODE MODULE 200V 100AUFT20140Microsemi CorporationDIODE MODULE 400V 100AUFT20005MSCIGBT ModuleUFT12620MSCIGBT ModuleUFT20130MSCIGBT ModuleUFT12510MSCIGBT ModuleUFT12650MSCIGBT ModuleUFT20015MITSUBISHIIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที