ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี GD25S512MDYIGR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25S512MDYIGR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25S512MDYIGR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GigaDevice | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 50µs, 2.4ms | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3.6V | |
| เทคโนโลยี | FLASH - NOR | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-WSON (6x8) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-WDFN Exposed Pad | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 512Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 64M x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | SPI - Quad I/O | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH | |
| ความถี่นาฬิกา | 104 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GD25S512 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25S512MDYIGR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | GD25S512MDYIGR | GD25WD80CEIGR | GD25WD20CTIG | GD25S512MDFIGR |
| ผู้ผลิต | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| ชุด | - | - | - | - |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | SPI - Quad I/O | SPI - Quad I/O | SPI - Quad I/O | SPI - Quad I/O |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-WSON (6x8) | 8-USON (2x3) | 8-SOP | 16-SOP |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-WDFN Exposed Pad | 8-XFDFN Exposed Pad | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| องค์กรหน่วยความจำ | 64M x 8 | 1M x 8 | 256K x 8 | 64M x 8 |
| ขนาดหน่วยความจำ | 512Mbit | 8Mbit | 2Mbit | 512Mbit |
| เทคโนโลยี | FLASH - NOR | FLASH - NOR | FLASH - NOR | FLASH - NOR |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 50µs, 2.4ms | - | - | 50µs, 2.4ms |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH | FLASH | FLASH | FLASH |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3.6V | 1.65V ~ 3.6V | 1.65V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V |
| ความถี่นาฬิกา | 104 MHz | - | - | 104 MHz |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GD25S512 | GD25WD80 | GD25WD20 | GD25S512 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล GD25S512MDYIGR PDF และเอกสาร GigaDevice Semiconductor (HK) Limited สำหรับ GD25S512MDYIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD40CTGDGD25R04IRIGBT ModuleGD25R06IRIGBT ModuleGD25WD80CEIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLSH 8MBIT SPI/QUAD I/O 8USONGD25R08IRIGBT ModuleGD25VQ21BUIGRGDGD25WD20CTIGGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLASH 2MBIT SPI/QUAD I/O 8SOPGD25R16IRIGBT ModuleGD25S512MDFIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOPGD25R32WIGGINADEVICEGD25WD40CTIGGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLASH 4MBIT SPI/QUAD I/O 8SOPGD25S512MDYIGGDGD25R12IRIGBT ModuleGD25WD05COIGRGDGD25VQ41BUIGRGDGD25WD40CEIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLSH 4MBIT SPI/QUAD I/O 8USONGD25VE16CEIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8USONGD25R14IRIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที