Name: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE16CEIGR
Brand: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
SKU: GD25VE16CEIGR

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	GigaDevice
เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า	-
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน	2.1V ~ 3.6V
เทคโนโลยี	FLASH - NOR
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	8-USON (2x3)
ชุด	-
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	8-XFDFN Exposed Pad
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 85°C (TA)

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
ประเภทหน่วยความจำ	Non-Volatile
ขนาดหน่วยความจำ	16Mbit
องค์กรหน่วยความจำ	2M x 8
อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ	SPI - Quad I/O
รูปแบบหน่วยความจำ	FLASH
ความถี่นาฬิกา	104 MHz
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	GD25VE16

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	GD25VE16CEIGR	GD25WD40CEIGR	GD25WD40CTIG	GD25WD80CTIG
ผู้ผลิต	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า	-	-	-	-
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน	2.1V ~ 3.6V	1.65V ~ 3.6V	1.65V ~ 3.6V	1.65V ~ 3.6V
องค์กรหน่วยความจำ	2M x 8	512K x 8	512K x 8	1M x 8
ขนาดหน่วยความจำ	16Mbit	4Mbit	4Mbit	8Mbit
รูปแบบหน่วยความจำ	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 85°C (TA)	-40°C ~ 85°C (TA)	-40°C ~ 85°C (TA)	-40°C ~ 85°C (TA)
อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ	SPI - Quad I/O	SPI - Quad I/O	SPI - Quad I/O	SPI - Quad I/O
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tube	Tube
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	GD25VE16	GD25WD40	GD25WD40	GD25WD80
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	8-XFDFN Exposed Pad	8-XFDFN Exposed Pad	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ชุด	-	-	-	-
ประเภทหน่วยความจำ	Non-Volatile	Non-Volatile	Non-Volatile	Non-Volatile
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	8-USON (2x3)	8-USON (2x3)	8-SOP	8-SOP
ความถี่นาฬิกา	104 MHz	-	-	-
เทคโนโลยี	FLASH - NOR	FLASH - NOR	FLASH - NOR	FLASH - NOR

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

GD25VE16CEIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

GD25VE16CEIGR Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค

GD25VE16CEIGR

ตะกร้าสินค้า (0 Items)

เปรียบเทียบรายการ (0 Items)

ข้อเสนอแนะ

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการกลับ

GD25VE16CEIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

GD25VE16CEIGR Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค

GD25VE16CEIGR

ตะกร้าสินค้า (0 Items)

เปรียบเทียบรายการ (0 Items)

ข้อเสนอแนะ

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ