ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRF623
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Harris Corporation - IRF623 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Harris Corporation - IRF623
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.5A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 40W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 450 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 150 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 4A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Harris Corporation IRF623
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRF623 | IRF6218STRLPBF | IRF6218SPBF | IRF624PBF |
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Vishay Siliconix |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 40W (Tc) | 250W (Tc) | 250W (Tc) | 50W (Tc) |
| ชุด | - | HEXFET® | HEXFET® | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 4A (Tc) | 27A (Tc) | 27A (Tc) | 4.4A (Tc) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 150 V | 150 V | 150 V | 250 V |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 450 pF @ 25 V | 2210 pF @ 25 V | 2210 pF @ 25 V | 260 pF @ 25 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | D2PAK | D2PAK | TO-220AB |
| ประเภท FET | N-Channel | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 14 nC @ 10 V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.5A, 10V | 150mOhm @ 16A, 10V | 150mOhm @ 16A, 10V | 1.1Ohm @ 2.6A, 10V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
IRF624PBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRF6218STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 150V 27A D2PAKIRF6218SPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 150V 27A D2PAKIRF6218PBF.IRIRF624PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
IRF624AFairchild (onsemi)IRF624Harris CorporationMOSFET N-CH 250V 4.4A TO220ABIRF6217TRPBF.IRIRF6217TRPBF MOSIR
IRF630STMicroelectronicsMOSFET N-CH 200V 9A TO220ABIRF6218S MOSIRIRF630Harris CorporationMOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
IRF6218PBFInternational RectifierAUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNELIRF624STR MOSIRIRF6218SIRIRF6218IRIRF624Vishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 4.4A TO220ABIRF624SPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที