ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRF630
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Harris Corporation - IRF630 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Harris Corporation - IRF630
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 5.4A, 10V | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 800 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 43 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 9A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Harris Corporation IRF630
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRF630 | IRF624SPBF | IRF624 | IRF624 |
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | Vishay Siliconix | Harris Corporation | Vishay Siliconix |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | D²PAK (TO-263) | TO-220AB | TO-220AB |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 5.4A, 10V | 1.1Ohm @ 2.6A, 10V | 1.1Ohm @ 2.6A, 10V | 1.1Ohm @ 2.6A, 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | 250 V | 250 V | 250 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 9A (Tc) | 4.4A (Tc) | 4.4A (Tc) | 4.4A (Tc) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 43 nC @ 10 V | 14 nC @ 10 V | 14 nC @ 10 V | 14 nC @ 10 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 | TO-220-3 |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 800 pF @ 25 V | 260 pF @ 25 V | 260 pF @ 25 V | 260 pF @ 25 V |
IRF6305TRLIR
IRF630B MOSFairchild (onsemi)IRF624SPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAKIRF624STR MOSIRIRF630APBFVBSEMIIRF624Harris CorporationMOSFET N-CH 250V 4.4A TO220ABIRF624Vishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
IRF630STMicroelectronicsMOSFET N-CH 200V 9A TO220ABIRF630A MOSFairchild (onsemi)IRF630AFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFET
IRF630/FPSTMicroelectronics
IRF624PBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRF624PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 4.4A TO220ABIRF624AFairchild (onsemi)IRF630 MOSSTMicroelectronicsIRF630BFairchild (onsemi)IRF630BTSTUFairchild SemiconductorIRF630B - 200V N-CHANNEL MOSFETIRF623Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFET| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที