ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี DH40-18A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - DH40-18A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - DH40-18A
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.7 V @ 40 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1800 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247AD | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | SONIC-FRD™ | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 300 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 1800 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 40A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DH40 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS DH40-18A
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | DH40-18A | 60HFR140 | RGP30J | F1842D1200 |
| ผู้ผลิต | IXYS | Solid State Inc. | NTE Electronics, Inc | Sensata-Crydom |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 300 ns | - | 250 ns | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1800 V | 1400 V | 600 V | 1200 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | SONIC-FRD™ | - | RGP30 | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 40A | 60A | 3A | 40A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Stud Mount | Through Hole | Chassis Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.7 V @ 40 A | 1.3 V @ 60 A | 1.3 V @ 3 A | 1.4 V @ 120 A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | 60pF @ 4V, 1MHz | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DH40 | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 1800 V | 200 µA @ 1400 V | 5 µA @ 600 V | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247AD | DO-5 | DO-201AD | Module |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-2 | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-201AD, Axial | Module |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Bag | Bulk |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล DH40-18A PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ DH40-18A - IXYS
60HFR140Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1.4KV 60A DO5RGP30JNTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 600V 3A DO201ADF1842D1200Sensata-CrydomDIODE GEN PURP 1.2KV 40A MODULE
DH4-2372-000TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
1N4935GPFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
A390NPowerex Inc.DIODE GEN PURP 800V 400A DO200AA
MURF860GonsemiDIODE GEN PURP 600V 8A TO220FPMMSD4148Yangjie TechnologySOD-123 100V 0.2A Diodes Recti
MMSD701T1GonsemiDIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOD123R5020418FSWAPowerex Inc.DIODE GEN PURP 400V 175A DO205AA
MURS120SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 200V 1A SMB
MURA220T3GonsemiDIODE GEN PURP 200V 2A SMA
APT15DQ120KGMicrochip TechnologyDIODE GP 1.2KV 15A TO220
MSE1PJHM3/89AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP
SL02-GS08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 20V 1.1A DO219AB
S3DB-13Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 3A SMBDH4000AAYHUA
1N3163Solid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 240A DO9| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที